规格书 |
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文档 |
Multiple Devices 14/Mar/2011 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 2,500 |
FET 型 | 2 N-Channel (Dual) |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 20V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 8A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 17 mOhm @ 8A, 4.5V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 1.5V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 24nC @ 4.5V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 1676pF @ 10V |
功率 - 最大 | 900mW |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
供应商器件封装 | 8-SOICN |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
最大门源电压 | ±8 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
通道模式 | Enhancement |
标准包装名称 | SOIC |
最低工作温度 | -55 |
渠道类型 | N |
封装 | Tape and Reel |
最大漏源电阻 | 17@4.5V |
最大漏源电压 | 20 |
每个芯片的元件数 | 2 |
供应商封装形式 | SOIC N |
最大功率耗散 | 2000 |
最大连续漏极电流 | 8 |
引脚数 | 8 |
铅形状 | Gull-wing |
FET特点 | Logic Level Gate |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 8A |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 1.5V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
供应商设备封装 | 8-SOIC N |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 17 mOhm @ 8A, 4.5V |
FET型 | 2 N-Channel (Dual) |
功率 - 最大 | 900mW |
标准包装 | 2,500 |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 1676pF @ 10V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 24nC @ 4.5V |
封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | N-Channel |
连续漏极电流 | 8 A |
封装/外壳 | SOIC-8 Narrow |
零件号别名 | FDS6894A_NL |
下降时间 | 12 ns |
产品种类 | MOSFET |
单位重量 | 0.006596 oz |
配置 | Dual Dual Drain |
最高工作温度 | + 150 C |
正向跨导 - 闵 | 44 S |
RoHS | RoHS Compliant |
典型关闭延迟时间 | 33 ns |
源极击穿电压 | +/- 8 V |
RDS(ON) | 17 mOhms |
安装风格 | SMD/SMT |
功率耗散 | 2 W |
最低工作温度 | - 55 C |
上升时间 | 14 ns |
漏源击穿电压 | 20 V |
associated | RE932-01 |
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